【SMARTSIC】商标详情
- SMARTSIC
- G1683335
- 待审中
- 普通商标
- 2022-09-15
-半导体材料测试,
-技术援助和支持服务,即:为用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备或射频电流传导或过滤设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的新产品开发提供技术咨询,
-技术援助和支持服务,即:有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、将材料层、半导体或元件的转移到各类介质上的领域、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层 的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的技术咨询,
-有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、“将材料层、半导体或元件转移到各类介质上的领域”、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的工程和工程师事务,
-有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、“将材料层、半导体或元件转移到各类介质上的领域”、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的新产品的研究和开发,
-用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备、射频电流传导或过滤的设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的新产品的研究和开发,
-用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备、或射频电流传导或过滤设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的工程和工程师事务
-半导体材料测试;-技术援助和支持服务,即:为用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备或射频电流传导或过滤设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的新产品开发提供技术咨询;-技术援助和支持服务,即:有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、将材料层、半导体或元件的转移到各类介质上的领域、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的技术咨询;-有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、“将材料层、半导体或元件转移到各类介质上的领域”、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的工程和工程师事务;-有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、“将材料层、半导体或元件转移到各类介质上的领域”、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的新产品的研究和开发;-用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备、射频电流传导或过滤的设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的新产品的研究和开发;-用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备、或射频电流传导或过滤设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的工程和工程师事务 - SOITEC
- 伊泽尔省贝尔南************
- 国际局
2024-05-06 国际更正 | 申请收文
2024-02-28 评审应诉 | 申请收文
2023-10-26 驳回复审 | 实审裁文发文
2023-05-06 驳回复审 | 申请收文
2023-04-28 驳回复审 | 申请收文
2023-04-23 领土延伸 | 驳回电子发文
2022-09-15 领土延伸 | 申请收文
- SMARTSIC
- G1683335
- 待审中
- 普通商标
- 2022-09-15
-半导体材料测试,
-技术援助和支持服务,即:为用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备或射频电流传导或过滤设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的新产品开发提供技术咨询,
-技术援助和支持服务,即:有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、将材料层、半导体或元件的转移到各类介质上的领域、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的技术咨询,
-有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、“将材料层、半导体或元件转移到各类介质上的领域”、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的工程和工程师事务,
-有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、“将材料层、半导体或元件转移到各类介质上的领域”、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的新产品的研究和开发,
-用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备、射频电流传导或过滤的设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的新产品的研究和开发,
-用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备、或射频电流传导或过滤设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的工程和工程师事务
-半导体材料测试;-技术援助和支持服务,即:为用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备或射频电流传导或过滤设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的新产品开发提供技术咨询;-技术援助和支持服务,即:有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、将材料层、半导体或元件的转移到各类介质上的领域、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的技术咨询;-有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、“将材料层、半导体或元件转移到各类介质上的领域”、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的工程和工程师事务;-有关以下领域,即:将微电子电路或微系统转移到各类介质上的领域、“将材料层、半导体或元件转移到各类介质上的领域”、材料的离子注入领域、“材料层沉积,尤其是外延材料层沉积领域”、薄层的化学气相沉积(CVD:化学气相沉积)或物理气相沉积(PVD:物理气相沉积)领域、升华制造(PVT:物理蒸汽传输)领域、粉末烧结工艺制造领域的新产品的研究和开发;-用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备、射频电流传导或过滤的设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的新产品的研究和开发;-用于集成电路、射频(RF)或功率电子元件、晶体管、晶闸管和二极管、微系统、光电元件、光子元件、电流开关或转换的电子设备、或射频电流传导或过滤设备、压电设备、量子密码设备、发光二极管的多层基板、半导体晶片和半导体领域的工程和工程师事务 - SOITEC
- 伊泽尔省贝尔南************
- 国际局
2024-05-06 国际更正 | 申请收文
2024-02-28 评审应诉 | 申请收文
2023-10-26 驳回复审 | 实审裁文发文
2023-05-06 驳回复审 | 申请收文
2023-04-28 驳回复审 | 申请收文
2023-04-23 领土延伸 | 驳回电子发文
2022-09-15 领土延伸 | 申请收文