【ARAGON】商标详情
- ARAGON
- G1588803
- 已注册
- 普通商标
- 2021-04-29
1703 , 1707 1703-用于填隙应用的流动式低介电常数（low-k）化学气相沉积（CVD）薄膜，其用于半导体制造（逻辑、存储器件）,
1707-用于填隙应用的流动式低介电常数（low-k）化学气相沉积（CVD）薄膜，其用于半导体制造（逻辑、存储器件）
1703-用于填隙应用的流动式低介电常数（low-k）化学气相沉积（CVD）薄膜，其用于半导体制造（逻辑、存储器件）;1707-用于填隙应用的流动式低介电常数（low-k）化学气相沉积（CVD）薄膜，其用于半导体制造（逻辑、存储器件） - 2021-03-18-2031-03-18
- APPLIED MATERIALS， INC.
- 加利福尼亚圣克拉拉************
- 国际局
2021-08-27 领土延伸 | 审查
2021-04-29 领土延伸 | 申请收文
- ARAGON
- G1588803
- 已注册
- 普通商标
- 2021-04-29
1703 , 1707 1703-用于填隙应用的流动式低介电常数（low-k）化学气相沉积（CVD）薄膜，其用于半导体制造（逻辑、存储器件）,
1707-用于填隙应用的流动式低介电常数（low-k）化学气相沉积（CVD）薄膜，其用于半导体制造（逻辑、存储器件）
1703-用于填隙应用的流动式低介电常数（low-k）化学气相沉积（CVD）薄膜，其用于半导体制造（逻辑、存储器件）;1707-用于填隙应用的流动式低介电常数（low-k）化学气相沉积（CVD）薄膜，其用于半导体制造（逻辑、存储器件） - 2021-03-18-2031-03-18
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