【佑天】商标详情
- 佑天
- 64279692
- 已注册
- 普通商标
- 2022-04-27
0102 , 0104 0102-四氯化物,
0102-有机酸盐,
0102-有机金属化合物,
0102-氧化锆,
0102-氯化物,
0102-氯化锆,
0102-盐类（化学制剂）,
0102-金属氧化物,
0104-半导体制造用蚀刻剂,
0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料
0102-四氯化物;0102-有机酸盐;0102-有机金属化合物;0102-氧化锆;0102-氯化物;0102-氯化锆;0102-盐类（化学制剂）;0102-金属氧化物;0104-半导体制造用蚀刻剂;0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料 - 1815
- 2022-11-13
- 1827
- 2023-02-14
- 2023-02-14-2033-02-13
- 南京佑天金属科技有限公司
- 江苏省南京市************
- 江苏省宁海商标事务所有限公司
2023-03-08 商标注册申请 | 注册证发文
2022-11-01 商标注册申请 | 等待驳回复审
2022-09-06 商标注册申请 | 驳回通知发文
2022-05-12 商标注册申请 | 受理通知书发文
2022-04-27 商标注册申请 | 申请收文
- 佑天
- 64279692
- 已注册
- 普通商标
- 2022-04-27
0102 , 0104 0102-四氯化物,
0102-有机酸盐,
0102-有机金属化合物,
0102-氧化锆,
0102-氯化物,
0102-氯化锆,
0102-盐类（化学制剂）,
0102-金属氧化物,
0104-半导体制造用蚀刻剂,
0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料
0102-四氯化物;0102-有机酸盐;0102-有机金属化合物;0102-氧化锆;0102-氯化物;0102-氯化锆;0102-盐类（化学制剂）;0102-金属氧化物;0104-半导体制造用蚀刻剂;0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料 - 1815
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2022-11-01 商标注册申请 | 等待驳回复审
2022-09-06 商标注册申请 | 驳回通知发文
2022-05-12 商标注册申请 | 受理通知书发文
2022-04-27 商标注册申请 | 申请收文
