【LPE】商标详情
- LPE
- G1535471
- 待审中
- 普通商标
- 2020-06-11
0729 , 0744 0729-LPCVD（低压化学气相沉积）反应器,
0729-半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器,
0729-用于复合材料生长的HTCVD（高温化学气相沉积）反应器,
0729-用于复合材料生长的PVT（物理气相传输）升华器,
0744-半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器,
0744-高温晶片处理设备
0729-LPCVD（低压化学气相沉积）反应器;0729-半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器;0729-用于复合材料生长的HTCVD（高温化学气相沉积）反应器;0729-用于复合材料生长的PVT（物理气相传输）升华器;0744-半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器;0744-高温晶片处理设备 - 2020-04-30-2030-04-30
- LPE S.P.A.
- 米兰广域市米兰************
- 国际局
2021-05-25 驳回复审 | 实审裁文发文
2021-05-25 驳回复审 | 等待实审裁文发文
2020-12-10 驳回复审 | 申请收文
2020-11-19 领土延伸 | 等待驳回电子发文
2020-11-19 领土延伸 | 驳回电子发文
2020-06-11 领土延伸 | 申请收文
- LPE
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- 2020-06-11
0729 , 0744 0729-LPCVD（低压化学气相沉积）反应器,
0729-半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器,
0729-用于复合材料生长的HTCVD（高温化学气相沉积）反应器,
0729-用于复合材料生长的PVT（物理气相传输）升华器,
0744-半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器,
0744-高温晶片处理设备
0729-LPCVD（低压化学气相沉积）反应器;0729-半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器;0729-用于复合材料生长的HTCVD（高温化学气相沉积）反应器;0729-用于复合材料生长的PVT（物理气相传输）升华器;0744-半导体制造设备，包括但不限于：CVD（化学气相沉积）和MOCVD（金属有机）外延反应器，低挥发性半导体前驱体用鼓泡器;0744-高温晶片处理设备 - 2020-04-30-2030-04-30
- LPE S.P.A.
- 米兰广域市米兰************
- 国际局
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2020-12-10 驳回复审 | 申请收文
2020-11-19 领土延伸 | 等待驳回电子发文
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