【艾斯拓】商标详情
- 艾斯拓
- 76023035
- 已注册
- 普通商标
- 2023-12-26
0101 , 0103 , 0104 0101-氙,
0101-氩,
0101-氪,
0101-碲,
0101-镱,
0103-工业用同位素,
0104-半导体制造用蚀刻剂,
0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料
0101-氙;0101-氩;0101-氪;0101-碲;0101-镱;0103-工业用同位素;0104-半导体制造用蚀刻剂;0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工 原料 - 1881
- 2024-03-27
- 1893
- 2024-06-28
- 2024-06-28-2034-06-27
- 中核（天津）机械有限公司
- 天津市天津市************
- 企力宝（北京）科技有限公司
2024-07-23 商标注册申请 | 注册证发文
2024-01-16 商标注册申请 | 受理通知书发文
2023-12-26 商标注册申请 | 申请收文
- 艾斯拓
- 76023035
- 已注册
- 普通商标
- 2023-12-26
0101 , 0103 , 0104 0101-氙,
0101-氩,
0101-氪,
0101-碲,
0101-镱,
0103-工业用同位素,
0104-半导体制造用蚀刻剂,
0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料
0101-氙;0101-氩;0101-氪;0101-碲;0101-镱;0103-工业用同位素;0104-半导体制造用蚀刻剂;0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料 - 1881
- 2024-03-27
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- 2024-06-28
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2024-01-16 商标注册申请 | 受理通知书发文
2023-12-26 商标注册申请 | 申请收文
