【SYM 3】商标详情
- SYM 3
- G1285224
- 待审中
- 普通商标
- 2016-01-28
0716 , 0744 0716-用于制造集成电路的半导体蚀刻设备，可去除晶片表面的选中区域，即等离子体蚀刻机,
0744-用于制造集成电路的半导体蚀刻设备，可去除晶片表面的选中区域，即等离子体蚀刻机
0716-用于制造集成电路的半导体蚀刻设备，可去除晶片表面的选中区域，即等离子体蚀刻机;0744-用于制造集成电路的半导体蚀刻设备，可去除晶片表面的选中区域，即等离子体蚀刻机 - 2015-12-17-2025-12-17
- APPLIED MATERIALS， INC.
- 加利福尼亚圣克拉拉************
- 国际局
2025-10-11 国际续展 | 申请收文
2019-06-06 驳回复审 | 商评委发文
2019-06-06 驳回复审 | 等待商评委发文
2018-09-13 出具商标注册证明 | 核准通知书发文
2018-09-13 出具商标注册证明 | 等待核准通知书发文
2018-07-20 出具商标注册证明 | 申请收文
2018-05-25 驳回复审 | 实审裁文发文
2018-05-25 驳回复审 | 等待实审裁文发文
2017-06-21 驳回复审 | 申请收文
2017-05-17 领土延伸 | 等待驳回电子发文
2017-05-17 领土延伸 | 驳回电子发文
2016-01-28 领土延伸 | 申请收文
- SYM 3
- G1285224
- 待审中
- 普通商标
- 2016-01-28
0716 , 0744 0716-用于制造集成电路的半导体蚀刻设备，可去除晶片表面的选中区域，即等离子体蚀刻机,
0744-用于制造集成电路的半导体蚀刻设备，可去除晶片表面的选中区域，即等离子体蚀刻机
0716-用于制造集成电路的半导体蚀刻设备，可去除晶片表面的选中区域，即等离子体蚀刻机;0744-用于制造集成电路的半导体蚀刻设备，可去除晶片表面的选中区域，即等离子体蚀刻机 - 2015-12-17-2025-12-17
- APPLIED MATERIALS， INC.
- 加利福尼亚圣克拉拉************
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2019-06-06 驳回复审 | 商评委发文
2019-06-06 驳回复审 | 等待商评委发文
2018-09-13 出具商标注册证明 | 核准通知书发文
2018-09-13 出具商标注册证明 | 等待核准通知书发文
2018-07-20 出具商标注册证明 | 申请收文
2018-05-25 驳回复审 | 实审裁文发文
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2017-06-21 驳回复审 | 申请收文
2017-05-17 领土延伸 | 等待驳回电子发文
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