【VEECO】商标详情
- VEECO
- G1696517
- 待审中
- 普通商标
- 2022-11-17
0729 , 0742 , 0744 , 0745 , 0746 0729-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机,
0729-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件),
0729-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统 、研磨/切割系统、热沉积源,
0742-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机,
0742-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件),
0742-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源,
0744-作为制造半导体和集成电路机器的组成部分出售的分子束外延坩埚和积液电池,
0744-使用溶剂化学品的半导体单晶圆湿法加工机,
0744-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机,
0744-制造机器和设备,即半导体制造机和磁存储制造机,
0744-半导体晶圆加工设备,
0744-原子层沉积系统用半导体晶圆加工机,
0744-含有离子源的半导体制造机器和真空镀膜工艺的离子源控制器,
0744-在半导体生产过程中,作为半导体制造机器的组成部分出售,在高真空条件下运行并暴露于化学品流动的加热高速旋转盘,
0744-在半导体生产过程中,在高真空条件下运行并暴露于化学品流动的加热高速旋转盘,
0744-用于制造半导体和集成电路的分子束外延坩埚和积液电池,
0744-用于制造半导体晶圆片及其他基板(包括组件)的光刻机,
0744-用于制造半导体晶圆片和半导体基板的光刻机及其零件,
0744-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件),
0744-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源,
0744-用于包括其组件的原子层沉积系统的半导体晶圆加工机,
0744-用于半导体工业的使用蚀刻化学品的半导体单晶圆加工机,
0744-真空镀膜工艺用含离子源和离子源控制器的机器,
0745-作为制造半导体机器的组成部分出售、用于涂覆多层光学薄膜的光学涂覆离子束机,
0745-用于制造半导体晶圆片及其他基板(包括组件)的光刻机,
0745-用于制造半导体晶圆片和半导体基板的光刻机及其零件,
0745-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源,
0745-用于涂覆多层光学薄膜(包括其组件)的光学涂覆离子束机,
0745-由用于退火目的的激光器组成的激光退火系统,包括其部件,
0746-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源
0729-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机;0729-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件);0729-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源;0742-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机;0742-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件);0742-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源;0744-作为制造半导体和集成电路机器的组成部分出售的分子束外延坩埚和积液电池;0744-使用溶剂化学品的半导体单晶圆湿法加工机;0744-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机;0744-制造机器和设备,即半导体制造机和磁存储制造机;0744-半导体晶圆加工设备;0744-原子层沉积系统用半导体晶圆加工机;0744-含有离子源的半导体制造机器和真空镀膜工艺的离子源控制器;0744-在半导体生产过程中,作为半导体制造机器的组成部分出售,在高真空条件下运行并暴露于化学品流动的加热高速旋转盘;0744-在半导体生产过程中,在高真空条件下运行并暴露于化学品流动的加热高速旋转盘;0744-用于制造半导体和集成电路的分子束外延坩埚和积液电池;0744-用于制造半导体晶圆片及其他基板(包括组件)的光刻机;0744-用于制造半导体晶圆片和半导体基板的光刻机及其零件;0744-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件);0744-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源;0744-用于包括其组件的原子层沉积系统的半导体晶圆加工机;0744-用于半导体工业的使用蚀刻化学品的半导体单晶圆加工机;0744-真空镀膜工艺用含离子源和离子源控制器的机器;0745-作为制造半导体机器的组成部分出售、用于涂覆多层光学薄膜的光学涂覆离子束机;0745-用于制造半导体晶圆片及其他基板(包括组件)的光刻机;0745-用于制造半导体晶圆片和半导体基板的光刻机及其零件;0745-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源;0745-用于涂覆多层光学薄膜(包括其组件)的光学涂覆离子束机;0745-由用于退火目的的激光器组成的激光退火系统,包括其部件;0746-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源 - 2022-04-06-2032-04-06
- VEECO INSTRUMENTS INC.
- 纽约普莱恩维尤************
- 国际局
2024-03-25 国际部分注销 | 申请收文
2023-05-28 领土延伸 | 驳回电子发文
2022-11-17 商标注册申请 | 申请收文
2022-11-17 领土延伸 | 申请收文
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0729 , 0742 , 0744 , 0745 , 0746 0729-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组 件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机,
0729-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件),
0729-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源,
0742-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机,
0742-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件),
0742-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源,
0744-作为制造半导体和集成电路机器的组成部分出售的分子束外延坩埚和积液电池,
0744-使用溶剂化学品的半导体单晶圆湿法加工机,
0744-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机,
0744-制造机器和设备,即半导体制造机和磁存储制造机,
0744-半导体晶圆加工设备,
0744-原子层沉积系统用半导体晶圆加工机,
0744-含有离子源的半导体制造机器和真空镀膜工艺的离子源控制器,
0744-在半导体生产过程中,作为 半导体制造机器的组成部分出售,在高真空条件下运行并暴露于化学品流动的加热高速旋转盘,
0744-在半导体生产过程中,在高真空条件下运行并暴露于化学品流动的加热高速旋转盘,
0744-用于制造半导体和集成电路的分子束外延坩埚和积液电池,
0744-用于制造半导体晶圆片及其他基板(包括组件)的光刻机,
0744-用于制造半导体晶圆片和半导体基板的光刻机及其零件,
0744-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件),
0744-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源,
0744-用于包括其组件的原子层沉积系统的半导体晶圆加工机,
0744-用于半导体工业的使用蚀刻化学品的半导体单晶圆加工机,
0744-真空镀膜工艺用含离子源和离子源控制器的机器,
0745-作为制造半导体机器的组成部分出售、用于涂覆多层光学薄膜的光学涂覆离子束机,
0745-用于制造半导体晶圆片及其他基板(包括组件)的光刻机,
0745-用于制造半导体晶圆片和半导体基板的光刻机及其零件,
0745-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源,
0745-用于涂覆多层光学薄膜(包括其组件)的光学涂覆离子束机,
0745-由用于退火目的的激光器组成的激光退火系 统,包括其部件,
0746-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源
0729-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机;0729-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件);0729-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源;0742-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机;0742-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件);0742-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源;0744-作为制造半导体和集成电路机器的组成部分出售的分子束外延坩埚和积液电池;0744-使用溶剂化学品的半导体单晶圆湿法加工机;0744-制造机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)、晶圆加工机;0744-制造机器和设备,即半导体制造机和磁存储制造机;0744-半导体晶圆加工设备;0744-原子层沉积系统用半导体晶圆加工机;0744-含有离子源的半导体制造机器和真空镀膜工艺的离子源控制器;0744-在半导体生产过程中,作为半导体制造机器的组成部分出售,在高真空条件下运行并暴露于化学品流动的加热高速旋转盘;0744-在半导体生产过程中,在高真空条件下运行并暴露于化学品流动的加热高速旋转盘;0744-用于制造半导体和集成电路的分子束外延坩埚和积液电池;0744-用于制造半导体晶圆片及其他基板(包括组件)的光刻机;0744-用于制造半导体晶圆片和半导体基板的光刻机及其零件;0744-用于制造的机器和设备,即分子束外延(MBE)系统(包括组件)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统(包括晶圆载体及其组件)以及晶圆加工机(包括组件);0744-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源;0744-用于包括其组件的原子层沉积系统的半导体晶圆加工机;0744-用于半导体工业的使用蚀刻化学品的半导体单晶圆加工机;0744-真空镀膜工艺用含离子源和离子源控制器的机器;0745-作为制造半导体机器的组成部分出售、用于涂覆多层光学薄膜的光学涂覆离子束机;0745-用于制造半导体晶圆片及其他基板(包括组件)的光刻机;0745-用于制造半导体晶圆片和半导体基板的光刻机及其零件;0745-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源;0745-用于涂覆多层光学薄膜(包括其组件)的光学涂覆离子束机;0745-由用于退火目的的激光器组成的激光退火系统,包括其部件;0746-用于制造的机器和设备,即物理、化学和电子技术设备和零部件、类金刚石碳系统、离子束沉积系统和离子束源、离子束蚀刻系统、物理气相沉积系统、研磨/切割系统、热沉积源 - 2022-04-06-2032-04-06
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