【TOSOH】商标详情
- TOSOH
- 1368759
- 已注册
- 普通商标
- 1997-03-13
-即放电使半导体或录制媒介上沉积一层金属薄膜过程中使用的对阴极,
-用于真空锭膜
-即放电使半导体或录制媒介上沉积一层金属薄膜过程中使用的对阴极;-用于真空锭膜 - 713
- 1999-11-28
- 725
- 2000-02-28
- 2020-02-28-2030-02-27
- 东曹株式会社
- 新泻南鱼沼市************
- 中国贸促会专利商标事务所有限公司
2020-01-14 商标续展 | 核准通知打印发送
2019-12-18 商标续展 | 申请收文
2019-12-13 商标续展 | 申请收文
2010-05-04 商标续展 | 打印核准续展注册商标证明
2010-02-26 商标续展 | 申请收文
1997-03-13 商标注册申请 | 申请收文
- TOSOH
- 1368759
- 已注册
- 普通商标
- 1997-03-13
-即放电使半导体或录制媒介上沉积一层金属薄膜过程中使用的对阴极,
-用于真空锭膜
-即放电使半导体或录制媒介上沉积一层金属薄膜过程中使用的对阴极;-用于真空锭膜 - 713
- 1999-11-28
- 725
- 2000-02-28
- 2020-02-28-2030-02-27
- 东曹株式会社
- 新泻南鱼沼市************
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2019-12-13 商标续展 | 申请收文
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1997-03-13 商标注册申请 | 申请收文
