【HYOSUNG NEOCHEM】商标详情
- HYOSUNG NEOCHEM
- 62653353
- 已注册
- 普通商标
- 2022-02-17
0101 , 0102 , 0104 , 0111 -化学吸附剂,
-化学用特殊气体,
-半导体制造用混合气体,
-半导体制造用腐蚀液,
-半导体制造用超高纯度气体,
-半导体加工用气体,
-半导体清洁用高纯度混合气体,
-半导体蚀刻用高纯度氮化合物,
-太阳能电池清洁用高纯度混合气体,
-显示屏清洁用高纯度三氟化氮,
-显示屏清洁用高纯度混合气体,
-清洁用 氟化物,
-用于清洁半导体设备的化学用特殊气体,
-除气剂,
0101-三氟化氮,
0101-氟,
0101-碳酸气,
0102-氮化合物,
0102-碱,
0104-净化剂(澄清剂),
0104-半导体制造用蚀刻剂,
0104-气体净化剂,
0111-金属加工用淬火液
-化学吸附剂;-化学用特殊气体;-半导体制造用混合气体;-半导体制造用腐蚀液;-半导体制造用超高纯度气体;-半导体加工用气体;-半导体清洁用高纯度混合气体;-半导体蚀刻用高纯度氮化合物;-太阳能电池清洁用高纯度混合气体;-显示屏清洁用高纯度三氟化氮;-显示屏清洁用高纯度混合气体;-清洁用氟化物;-用于清洁半导体设备的化学用特殊气体;-除气剂;0101-三氟化氮;0101-氟;0101-碳酸气;0102-氮化合物;0102-碱;0104-净化剂(澄清剂);0104-半导体制造用蚀刻剂;0104-气体净化剂;0111-金属加工用淬火液 - 1793
- 2022-05-27
- 1805
- 2022-08-28
- 2022-08-28-2032-08-27
- 株式会社晓星
- 首尔特别市首尔************
- 北京同立钧成知识产权代理有限公司
2022-09-21 商标注册申请 | 注册证发文
2022-05-12 商标注册申请 | 受理通知书发文
2022-04-21 商标注册申请 | 等待补正回文
2022-03-27 商标注册申请 | 补正通知发文
2022-02-17 商标注册申请 | 申请收文
- HYOSUNG NEOCHEM
- 62653353
- 已注册
- 普通商标
- 2022-02-17
0101 , 0102 , 0104 , 0111 -化学吸附剂,
-化学用特殊气体,
-半导体制造用混合气体,
-半导体制造用腐蚀液,
-半导体制造 用超高纯度气体,
-半导体加工用气体,
-半导体清洁用高纯度混合气体,
-半导体蚀刻用高纯度氮化合物,
-太阳能电池清洁用高纯度混合气体,
-显示屏清洁用高纯度三氟化氮,
-显示屏清洁用高纯度混合气体,
-清洁用氟化物,
-用于清洁半导体设备的化学用特殊气体,
-除气剂,
0101-三氟化氮,
0101-氟,
0101-碳酸气,
0102-氮化合物,
0102-碱,
0104-净化剂(澄清剂),
0104-半导体制造用蚀刻剂,
0104-气体净化剂,
0111-金属加工用淬火液
-化学吸附剂;-化学用特殊气体;-半导体制造用混合气体;-半导体制造用腐蚀液;-半导体制造用超高纯度气体;-半导体加工用气体;-半导体清洁用高纯度混合气体;-半导体蚀刻用高纯度氮化合物;-太阳能电池清洁用高纯度混合气体;-显示屏清洁用高纯度三氟化氮;-显示屏清洁用高纯度混合气体;-清洁用氟化物;-用于清洁半导体设备的化学用特殊气体;-除气剂;0101-三氟化氮;0101-氟;0101-碳酸气;0102-氮化合物;0102-碱;0104-净化剂(澄清剂);0104-半导体制造用蚀刻剂;0104-气体净化剂;0111-金属加工用淬火液 - 1793
- 2022-05-27
- 1805
- 2022-08-28
- 2022-08-28-2032-08-27
- 株式会社晓星
- 首尔特别市首尔************
- 北京同立钧成知识产权代理有限公司
2022-09-21 商标注册申请 | 注册证发文
2022-05-12 商标注册申请 | 受理通知书发文
2022-04-21 商标注册申请 | 等待补正回文
2022-03-27 商标注册申请 | 补正通知发文
2022-02-17 商标注册申请 | 申请收文