【JTY】商标详情
- JTY
- 86371118
- 已初审
- 普通商标
- 2025-07-08
0101 , 0102 , 0104 0101-硒,
0101-碲,
0101-铋,
0101-锑,
0101-镓,
0102-氧化锑,
0102-氯化镉,
0102-稀土金属盐,
0104-半导体制造用蚀刻剂,
0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料
0101-硒;0101-碲;0101-铋;0101-锑;0101-镓;0102-氧化锑;0102-氯化镉;0102-稀土金属盐;0104-半导体制造用蚀刻剂;0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料 - 1961
- 2025-11-27
- 北京天钰光能有限公司
- 北京市海淀区善缘街1号9层2-930
- 北京星宇瑞知识产权代理事务所（普通合伙）
2025-08-07 商标注册申请 | 受理通知书发文
2025-07-08 商标注册申请 | 申请收文
商标初步审定公告 2025-11-27 第1961期 查看公告
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- 2025-07-08
0101 , 0102 , 0104 0101-硒,
0101-碲,
0101-铋,
0101-锑,
0101-镓,
0102-氧化锑,
0102-氯化镉,
0102-稀土金属盐,
0104-半导体制造用蚀刻剂,
0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料
0101-硒;0101-碲;0101-铋;0101-锑;0101-镓;0102-氧化锑;0102-氯化镉;0102-稀土金属盐;0104-半导体制造用蚀刻剂;0104-半导体生产中在半导体晶片上沉积薄膜用化工原料 - 1961
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