【NOVASIC】商标详情
- NOVASIC
- G1704386
- 待审中
- 普通商标
- 2022-12-29
0913 0913-所有这些产品均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域的研磨、机械和化学机械抛光(CMP)操作以及其他其他表面处理,
0913-用于获得电子或光电子或光子组件的材料领域的经过不同表面处理的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片,
0913-经过各种机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的操作的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片,
0913-经过各种表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作以待外延或键合的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片
0913-所有这些产品均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域的研磨、机械和化学机械抛光(CMP)操作以及其他其他表面处理;0913-用于获得电子或光电子或光子组件的材料领域的经过不同表面处理的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片;0913-经过各种机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的操作的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片;0913-经过各种表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作以待外延或键合的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片 - NOVASIC
- 萨瓦省滨湖勒布尔歇************
2024-11-08 评审应诉 | 申请收文
2024-07-08 驳回复审 | 实审裁文发文
2023-09-22 驳回复审 | 申请收文
2023-09-11 领土延伸 | 驳回电子发文
2022-12-29 商标注册申请 | 申请收文
2022-12-29 领土延伸 | 申请收文
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- G1704386
- 待审中
- 普通商标
- 2022-12-29
0913 0913-所有这些产品均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域的研磨、机械和化学机械抛光(CMP)操作以及其他其他表面处理,
0913-用于获得电子或光电子或光子组件的材料领域的经过不同表面处理的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片,
0913-经过各种机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的操作的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片,
0913-经过各种表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作以待外延或键合的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片
0913-所有这些产品均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域的研磨、机械和化学机械抛光(CMP)操作以及其他其他表面处理;0913-用于获得电子或光电子或光子组件的材料领域的经过不同表面处理的半导体或压电或氧 化物材料的单层或多层晶片;0913-经过各种机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的操作的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片;0913-经过各种表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作以待外延或键合的半导体或压电或氧化物材料的单层或多层晶片 - NOVASIC
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2024-11-08 评审应诉 | 申请收文
2024-07-08 驳回复审 | 实审裁文发文
2023-09-22 驳回复审 | 申请收文
2023-09-11 领土延伸 | 驳回电子发文
2022-12-29 商标注册申请 | 申请收文
2022-12-29 领土延伸 | 申请收文