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【NOVASIC】商标详情
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- NOVASIC
- G1704386
- 待审中
- 普通商标
- 2022-12-29
4001 , 4002 , 4015 4001-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4001-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4002-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4002-与表面 操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4002-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4002-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理,
4002-结构表征,即:形态学和晶体学方法,
4002-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法,
4015-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4015-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4015-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4015-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理,
4015-结构表征,即:形态学和晶体学方法,
4015-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法
4001-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4001-所有这些服务均涉及用 于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4002-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4002-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4002-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4002-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理;4002-结构表征,即:形态学和晶体学方法;4002-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法;4015-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4015-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4015-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4015-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理;4015-结构表征,即:形态学和晶体学方法;4015-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法 - 2022-09-27-2032-09-27
- NOVASIC
- 上塞纳省勒瓦卢瓦-佩雷************
2025-01-17 评审应诉 | 判决结果
2024-11-08 评审应诉 | 申请收文
2024-07-08 驳回复审 | 实审裁文发文
2023-09-22 驳回复审 | 申请收文
2023-09-11 领土延伸 | 驳回电子发文
2022-12-29 商标注册申请 | 申请收文
2022-12-29 领土延伸 | 申请收文
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- 2022-12-29
4001 , 4002 , 4015 4001-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4001-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子 键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4002-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4002-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4002-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4002-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理,
4002-结构表征,即:形态学和晶体学方法,
4002-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法,
4015-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4015-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4015-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4015-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理,
4015-结构表征,即:形态学和晶体学方法,
4015-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法
4001-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4001-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4002-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4002-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4002-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4002-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理;4002-结构表征,即:形态学和晶体学方法;4002-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法;4015-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4015-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4015-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4015-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理;4015-结构表征,即:形态学和晶体学方法;4015-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法 - 2022-09-27-2032-09-27
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2024-07-08 驳回复审 | 实审裁文发文
2023-09-22 驳回复审 | 申请收文
2023-09-11 领土延伸 | 驳回电子发文
2022-12-29 商标注册申请 | 申请收文
2022-12-29 领土延伸 | 申请收文
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