
【NOVASIC】商标详情

- NOVASIC
- G1704386
- 待审中
- 普通商标
- 2022-12-29
4001 , 4002 , 4015 4001-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4001-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4002-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4002-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4002-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4002-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理,
4002-结构表征,即:形态学和晶体学方法,
4002-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法,
4015-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4015-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理,
4015-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域,
4015-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理,
4015-结构表征,即:形态学和晶体学方法,
4015-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法
4001-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4001-所有这些服务均涉及用于 获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4002-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4002-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4002-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4002-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理;4002-结构表征,即:形态学和晶体学方法;4002-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法;4015-与机加工操作,即:用于产生切口、平面、倒角的处理有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4015-与表面操作,即:研磨、磨削、机械和化学机械抛光(CMP)、清洁、激光标记操作有关的半导体或压电或氧化物材料的晶片处理;4015-所有这些服务均涉及用于获得电子或光电或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的半导体或压电或氧化物材料领域;4015-用于获得电子或光电子或光子组件或外延层生长或分子键合或用于晶片回收的其他表面处理;4015-结构表征,即:形态学和晶体学方法;4015-表面特征,即:形貌、粗糙度和化学分析方法